ਸਿਲੀਕਾਨ ਥਰਮਲ ਆਕਸਾਈਡ ਵੇਫਰ

ਸੁਝਾਅ: ਆਕਸੀਕਰਨ ਦੀ ਕਿਸਮ

1. ਖੁਸ਼ਕ ਆਕਸੀਕਰਨ

ਸਿਲੀਕਾਨ ਆਕਸੀਜਨ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਆਕਸਾਈਡ ਪਰਤ ਬੇਸਲ ਪਰਤ ਵੱਲ ਵਧਦੀ ਹੈ।ਸੁੱਕਾ ਆਕਸੀਕਰਨ 850 ਤੋਂ 1200 ° C ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਕੀਤੇ ਜਾਣ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਿਕਾਸ ਦਰ ਘੱਟ ਹੈ, ਜਿਸਦੀ ਵਰਤੋਂ MOS ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਗੇਟ ਦੇ ਵਾਧੇ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।ਜਦੋਂ ਉੱਚ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੀ, ਅਤਿ-ਪਤਲੀ ਸਿਲੀਕਾਨ ਆਕਸਾਈਡ ਪਰਤ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਗਿੱਲੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਨਾਲੋਂ ਸੁੱਕੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਨੂੰ ਤਰਜੀਹ ਦਿੱਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

ਡਰਾਈ ਆਕਸੀਕਰਨ ਸਮਰੱਥਾ: 15nm~300nm(150A ~ 3000A)

2. ਗਿੱਲਾ ਆਕਸੀਕਰਨ

ਇਹ ਵਿਧੀ ਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਆਕਸੀਜਨ ਦੇ ਮਿਸ਼ਰਣ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ~1000 ° C 'ਤੇ ਜਲਣ ਲਈ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਇੱਕ ਆਕਸਾਈਡ ਪਰਤ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਪਾਣੀ ਦੀ ਭਾਫ਼ ਪੈਦਾ ਕਰਦੀ ਹੈ।ਹਾਲਾਂਕਿ ਗਿੱਲੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਸੁੱਕੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਗੁਣਵੱਤਾ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪਰਤ ਪੈਦਾ ਨਹੀਂ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਪਰ ਇੱਕ ਅਲੱਗ-ਥਲੱਗ ਜ਼ੋਨ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਖੁਸ਼ਕ ਆਕਸੀਕਰਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਸਪੱਸ਼ਟ ਫਾਇਦਾ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਇਸਦੀ ਉੱਚ ਵਿਕਾਸ ਦਰ ਹੈ।

ਗਿੱਲੀ ਆਕਸੀਕਰਨ ਸਮਰੱਥਾ: 50nm~ 15µm (500A ~ 15µm)

3. ਡਰਾਈ ਵਿਧੀ - ਗਿੱਲਾ ਤਰੀਕਾ - ਸੁੱਕਾ ਤਰੀਕਾ

ਇਸ ਵਿਧੀ ਵਿੱਚ, ਸ਼ੁੱਧ ਸੁੱਕੀ ਆਕਸੀਜਨ ਨੂੰ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਪੜਾਅ 'ਤੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਭੱਠੀ ਵਿੱਚ ਛੱਡਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਨੂੰ ਆਕਸੀਕਰਨ ਦੇ ਮੱਧ ਵਿੱਚ ਜੋੜਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਨੂੰ ਸ਼ੁੱਧ ਸੁੱਕੀ ਆਕਸੀਜਨ ਨਾਲ ਆਕਸੀਕਰਨ ਜਾਰੀ ਰੱਖਣ ਲਈ ਅੰਤ ਵਿੱਚ ਸਟੋਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਇੱਕ ਸੰਘਣੀ ਆਕਸੀਕਰਨ ਬਣਤਰ ਬਣ ਸਕੇ। ਪਾਣੀ ਦੀ ਭਾਫ਼ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਆਮ ਗਿੱਲੀ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ।

4. TEOS ਆਕਸੀਕਰਨ