MOCVD ਲਈ SiC ਕੋਟੇਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਬੇਸ ਸੁਸੇਪਟਰ

SiC ਕੋਟੇਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਬੇਸ ਸੁਸੇਪਟਰਸੈਮੀਸੇਰਾ ਤੋਂ MOCVD ਲਈ ਐਪੀਟੈਕਸੀਲ ਵਿਕਾਸ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚ ਬੇਮਿਸਾਲ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਲਈ ਇੰਜਨੀਅਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਬੇਸ 'ਤੇ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੀ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕੋਟਿੰਗ MOCVD (ਮੈਟਲ ਆਰਗੈਨਿਕ ਕੈਮੀਕਲ ਵੈਪਰ ਡਿਪੋਜ਼ਿਸ਼ਨ) ਓਪਰੇਸ਼ਨਾਂ ਦੌਰਾਨ ਸਥਿਰਤਾ, ਟਿਕਾਊਤਾ ਅਤੇ ਅਨੁਕੂਲ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਸੈਮੀਸੇਰਾ ਦੀ ਨਵੀਨਤਾਕਾਰੀ ਸੰਸਪੈਕਟਰ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ, ਤੁਸੀਂ ਇਸ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਅਤੇ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹੋਸੀ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਤੇSiC ਐਪੀਟੈਕਸੀਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ।

ਇਹMOCVD ਸੰਸਕਾਰਜ਼ਰੂਰੀ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ ਦੀ ਇੱਕ ਸੀਮਾ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਨ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ, ਜਿਵੇਂ ਕਿPSS ਐਚਿੰਗ ਕੈਰੀਅਰ, ICP ਐਚਿੰਗ ਕੈਰੀਅਰ, ਅਤੇRTP ਕੈਰੀਅਰ, ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਐਚਿੰਗ ਅਤੇ ਐਪੀਟੈਕਸ਼ੀਅਲ ਕੰਮਾਂ ਲਈ ਬਹੁਮੁਖੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਉੱਚ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਪ੍ਰਤੀ ਸੈਮੀਸੇਰਾ ਦੀ ਵਚਨਬੱਧਤਾ ਇਹ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ ਕਿ ਇਹ ਸੁਸਪੇਟਰ ਆਧੁਨਿਕ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਤਪਾਦਨ ਦੀਆਂ ਸਖ਼ਤ ਮੰਗਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਦੇ ਹਨ।

ਵਿੱਚ ਵਰਤਣ ਲਈ ਆਦਰਸ਼LED ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲSusceptor, Barrel susceptor, and Monocrystalline Silicon processes, ਇਹਨਾਂ susceptors ਨੂੰ Pancake Susceptor ਕੌਂਫਿਗਰੇਸ਼ਨਾਂ ਸਮੇਤ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵੇਫਰ ਆਕਾਰਾਂ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਉਹ ਫੋਟੋਵੋਲਟੇਇਕ ਪਾਰਟਸ ਨੂੰ ਸੰਭਾਲਣ ਵਿੱਚ ਵੀ ਬਹੁਤ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਕੁਸ਼ਲ ਸੂਰਜੀ ਸੈੱਲਾਂ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹਿੱਸਾ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ।

ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, MOCVD ਲਈ SiC ਕੋਟੇਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਬੇਸ ਸਸਸੈਪਟਰ SiC Epitaxy 'ਤੇ GaN ਲਈ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ, ਉੱਨਤ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਨਾਲ ਉੱਚ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਭਾਵੇਂ ਤੁਸੀਂ ਉਪਜ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਣ ਜਾਂ ਐਪੀਟੈਕਸੀਲ ਵਿਕਾਸ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ 'ਤੇ ਕੇਂਦ੍ਰਿਤ ਹੋ, ਸੈਮੀਸੇਰਾ ਦੇ ਸੁਸਪੇਟਰ ਉੱਚ-ਤਕਨੀਕੀ ਉਦਯੋਗਾਂ ਵਿੱਚ ਸਫਲਤਾ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਅਤੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ।