ਵਰਣਨ
ਸਾਡੀ ਕੰਪਨੀ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ, ਵਸਰਾਵਿਕਸ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਸੀਵੀਡੀ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ SiC ਕੋਟਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸੇਵਾਵਾਂ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਾਰਬਨ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵਾਲੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗੈਸਾਂ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ SiC ਅਣੂ, ਕੋਟੇਡ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਜਮ੍ਹਾ ਅਣੂ, SIC ਸੁਰੱਖਿਆ ਪਰਤ ਬਣਾਉਣਾ.
ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
1. ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ:
ਜਦੋਂ ਤਾਪਮਾਨ 1600 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਤੱਕ ਉੱਚਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਜੇ ਵੀ ਬਹੁਤ ਵਧੀਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।
2. ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ: ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਕਲੋਰੀਨੇਸ਼ਨ ਸਥਿਤੀ ਦੇ ਅਧੀਨ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ ਦੁਆਰਾ ਕੀਤੀ ਗਈ।
3. ਕਟੌਤੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ, ਸੰਖੇਪ ਸਤਹ, ਵਧੀਆ ਕਣ.
4. ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: ਐਸਿਡ, ਖਾਰੀ, ਨਮਕ ਅਤੇ ਜੈਵਿਕ ਰੀਐਜੈਂਟਸ।
CVD-SIC ਕੋਟਿੰਗ ਦੀਆਂ ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
| SiC-CVD ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ | ||
| ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ | FCC β ਪੜਾਅ | |
| ਘਣਤਾ | g/cm ³ | 3.21 |
| ਕਠੋਰਤਾ | ਵਿਕਰਾਂ ਦੀ ਕਠੋਰਤਾ | 2500 |
| ਅਨਾਜ ਦਾ ਆਕਾਰ | μm | 2~10 |
| ਰਸਾਇਣਕ ਸ਼ੁੱਧਤਾ | % | 99.99995 |
| ਗਰਮੀ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| ਉੱਤਮਤਾ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ | ℃ | 2700 ਹੈ |
| Felexural ਤਾਕਤ | MPa (RT 4-ਪੁਆਇੰਟ) | 415 |
| ਯੰਗ ਦਾ ਮਾਡਿਊਲਸ | Gpa (4pt ਮੋੜ, 1300℃) | 430 |
| ਥਰਮਲ ਵਿਸਤਾਰ (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ | (W/mK) | 300 |
