ਸਾਡੀ ਕੰਪਨੀ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈSiC ਪਰਤCVD ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ, ਵਸਰਾਵਿਕਸ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸੇਵਾਵਾਂ, ਤਾਂ ਜੋ ਕਾਰਬਨ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵਾਲੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗੈਸਾਂ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ sic ਅਣੂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਕਰ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ, ਜੋ ਕਿ ਕੋਟਿਡ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਜਮ੍ਹਾ ਹੋ ਕੇ ਇੱਕ ਬਣਾਉਣ ਲਈSiC ਸੁਰੱਖਿਆ ਪਰਤepitaxy ਬੈਰਲ ਕਿਸਮ ਹਾਈ pnotic ਲਈ.
ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ:
1 .ਹਾਈ ਸ਼ੁੱਧਤਾ SiC ਕੋਟੇਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ
2. ਉੱਤਮ ਗਰਮੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਇਕਸਾਰਤਾ
3. ਜੁਰਮਾਨਾSiC ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਕੋਟੇਡਇੱਕ ਨਿਰਵਿਘਨ ਸਤਹ ਲਈ
4. ਰਸਾਇਣਕ ਸਫਾਈ ਦੇ ਵਿਰੁੱਧ ਉੱਚ ਟਿਕਾਊਤਾ
ਦੇ ਮੁੱਖ ਨਿਰਧਾਰਨCVD-SIC ਕੋਟਿੰਗ
| SiC-CVD ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ | ||
| ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ | FCC β ਪੜਾਅ | |
| ਘਣਤਾ | g/cm ³ | 3.21 |
| ਕਠੋਰਤਾ | ਵਿਕਰਾਂ ਦੀ ਕਠੋਰਤਾ | 2500 |
| ਅਨਾਜ ਦਾ ਆਕਾਰ | μm | 2~10 |
| ਰਸਾਇਣਕ ਸ਼ੁੱਧਤਾ | % | 99.99995 |
| ਗਰਮੀ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| ਉੱਤਮਤਾ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ | ℃ | 2700 ਹੈ |
| Felexural ਤਾਕਤ | MPa (RT 4-ਪੁਆਇੰਟ) | 415 |
| ਯੰਗ ਦਾ ਮਾਡਿਊਲਸ | Gpa (4pt ਮੋੜ, 1300℃) | 430 |
| ਥਰਮਲ ਵਿਸਤਾਰ (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ | (W/mK) | 300 |
