ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਜਾਣ-ਪਛਾਣ
ਸਾਡੀ ਕੈਮੀਕਲ ਵੈਪਰ ਡਿਪੋਜ਼ੀਸ਼ਨ (CVD) ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (SiC) ਕੋਟਿੰਗ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਟਿਕਾਊ ਅਤੇ ਪਹਿਨਣ-ਰੋਧਕ ਪਰਤ ਹੈ, ਜੋ ਉੱਚ ਖੋਰ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦੀ ਮੰਗ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣਾਂ ਲਈ ਆਦਰਸ਼ ਹੈ।ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕੋਟਿੰਗCVD ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਰਾਹੀਂ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ 'ਤੇ ਪਤਲੀਆਂ ਪਰਤਾਂ ਵਿੱਚ ਲਗਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਵਧੀਆ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।
ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
● -ਅਸਧਾਰਨ ਸ਼ੁੱਧਤਾ: ਦੀ ਇੱਕ ਅਤਿ-ਸ਼ੁੱਧ ਰਚਨਾ ਦਾ ਮਾਣ ਕਰਨਾ99.99995%, ਸਾਡਾSiC ਕੋਟਿੰਗਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਕਾਰਜਾਂ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਦੂਸ਼ਣ ਦੇ ਜੋਖਮਾਂ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਦਾ ਹੈ।
● -ਉੱਤਮ ਵਿਰੋਧ: ਘਿਸਾਅ ਅਤੇ ਖੋਰ ਦੋਵਾਂ ਲਈ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਇਸਨੂੰ ਚੁਣੌਤੀਪੂਰਨ ਰਸਾਇਣਕ ਅਤੇ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਸੈਟਿੰਗਾਂ ਲਈ ਸੰਪੂਰਨ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।
● - ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ: ਆਪਣੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਥਰਮਲ ਗੁਣਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਤਾਪਮਾਨਾਂ ਵਿੱਚ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।
● -ਆਯਾਮੀ ਸਥਿਰਤਾ: ਇਸਦੇ ਘੱਟ ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ ਗੁਣਾਂਕ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਤਾਪਮਾਨਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਵਿਸ਼ਾਲ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਵਿੱਚ ਢਾਂਚਾਗਤ ਇਕਸਾਰਤਾ ਬਣਾਈ ਰੱਖਦਾ ਹੈ।
● - ਵਧੀ ਹੋਈ ਕਠੋਰਤਾ: ਦੀ ਕਠੋਰਤਾ ਰੇਟਿੰਗ ਦੇ ਨਾਲ40 ਜੀਪੀਏ, ਸਾਡੀ SiC ਕੋਟਿੰਗ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਪ੍ਰਭਾਵ ਅਤੇ ਘ੍ਰਿਣਾ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰਦੀ ਹੈ।
● - ਨਿਰਵਿਘਨ ਸਤ੍ਹਾ ਫਿਨਿਸ਼: ਸ਼ੀਸ਼ੇ ਵਰਗੀ ਫਿਨਿਸ਼ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਕਣਾਂ ਦੀ ਪੈਦਾਵਾਰ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ।
ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ
ਸੈਮੀਸੇਰਾ SiC ਕੋਟਿੰਗਜ਼ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਿਰਮਾਣ ਦੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਪੜਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ:
● -LED ਚਿੱਪ ਨਿਰਮਾਣ
● -ਪੋਲੀਸਿਲਿਕਨ ਉਤਪਾਦਨ
● -ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗ੍ਰੋਥ
● -ਸਿਲੀਕਾਨ ਅਤੇ SiC ਐਪੀਟੈਕਸੀ
● -ਥਰਮਲ ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਤੇ ਪ੍ਰਸਾਰ (TO&D)
ਅਸੀਂ ਉੱਚ-ਸ਼ਕਤੀ ਵਾਲੇ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ, ਕਾਰਬਨ ਫਾਈਬਰ-ਰੀਇਨਫੋਰਸਡ ਕਾਰਬਨ ਅਤੇ 4N ਰੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਤੋਂ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ SiC-ਕੋਟੇਡ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਸਪਲਾਈ ਕਰਦੇ ਹਾਂ, ਜੋ ਕਿ ਤਰਲ-ਬੈੱਡ ਰਿਐਕਟਰਾਂ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ,STC-TCS ਕਨਵਰਟਰ, CZ ਯੂਨਿਟ ਰਿਫਲੈਕਟਰ, SiC ਵੇਫਰ ਬੋਟ, SiCਵੇਫਰ ਪੈਡਲ, SiC ਵੇਫਰ ਟਿਊਬ, ਅਤੇ PECVD, ਸਿਲੀਕਾਨ ਐਪੀਟੈਕਸੀ, MOCVD ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਵੇਫਰ ਕੈਰੀਅਰ।.
ਲਾਭ
● - ਵਧੀ ਹੋਈ ਉਮਰ: ਸਾਜ਼ੋ-ਸਾਮਾਨ ਦੇ ਡਾਊਨਟਾਈਮ ਅਤੇ ਰੱਖ-ਰਖਾਅ ਦੇ ਖਰਚਿਆਂ ਨੂੰ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਸਮੁੱਚੀ ਉਤਪਾਦਨ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਧਦੀ ਹੈ।
● -ਸੁਧਰੀ ਹੋਈ ਗੁਣਵੱਤਾ: ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਲਈ ਜ਼ਰੂਰੀ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੀਆਂ ਸਤਹਾਂ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਉਤਪਾਦ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।
● - ਵਧੀ ਹੋਈ ਕੁਸ਼ਲਤਾ: ਥਰਮਲ ਅਤੇ ਸੀਵੀਡੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਚੱਕਰ ਦਾ ਸਮਾਂ ਘੱਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਵੱਧ ਉਪਜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
ਤਕਨੀਕੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
● -ਢਾਂਚਾ: FCC β ਪੜਾਅ ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ, ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ (111) ਮੁਖੀ
● -ਘਣਤਾ: 3.21 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ.³
● -ਕਠੋਰਤਾ: 2500 ਵਿਕਸ ਕਠੋਰਤਾ (500 ਗ੍ਰਾਮ ਭਾਰ)
● -ਭੰਜਨ ਦੀ ਮਜ਼ਬੂਤੀ: 3.0 MPa·m1/2
● -ਥਰਮਲ ਐਕਸਪੈਂਸ਼ਨ ਕੋਐਫੀਸ਼ੀਐਂਟ (100–600 °C): 4.3 x 10-6k-1
● -ਲਚਕੀਲਾ ਮਾਡਿਊਲਸ(1300℃):435 ਜੀਪੀਏ
● -ਆਮ ਫਿਲਮ ਮੋਟਾਈ:100 ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ
● - ਸਤ੍ਹਾ ਖੁਰਦਰੀ:2-10 µm
ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਡੇਟਾ (ਗਲੋ ਡਿਸਚਾਰਜ ਮਾਸ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ ਦੁਆਰਾ ਮਾਪਿਆ ਗਿਆ)
| ਤੱਤ | ਪੀਪੀਐਮ | ਤੱਤ | ਪੀਪੀਐਮ |
| Li | < 0.001 | Cu | < 0.01 |
| Be | < 0.001 | Zn | < 0.05 |
| ਅਲ | < 0.04 | Ga | < 0.01 |
| P | < 0.01 | Ge | < 0.05 |
| S | < 0.04 | As | < 0.005 |
| K | < 0.05 | In | < 0.01 |
| Ca | < 0.05 | Sn | < 0.01 |
| Ti | < 0.005 | Sb | < 0.01 |
| V | < 0.001 | W | < 0.05 |
| Cr | < 0.05 | Te | < 0.01 |
| Mn | < 0.005 | Pb | < 0.01 |
| Fe | < 0.05 | Bi | < 0.05 |
| Ni | < 0.01 |
|
