ਸਾਡੀ ਕੰਪਨੀ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈSiC ਕੋਟਿੰਗCVD ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ, ਵਸਰਾਵਿਕਸ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸੇਵਾਵਾਂ, ਤਾਂ ਜੋ ਕਾਰਬਨ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵਾਲੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗੈਸਾਂ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਕਰਕੇ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ Sic ਅਣੂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਣ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਨੂੰ ਕੋਟੇਡ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਜਮ੍ਹਾ ਕਰਕੇ ਇੱਕ ਬਣਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।SiC ਸੁਰੱਖਿਆ ਪਰਤਐਪੀਟੈਕਸੀ ਬੈਰਲ ਕਿਸਮ ਹਾਈਪੋਟਿਕ ਲਈ।
ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ:
1. ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲਾ SiC ਕੋਟੇਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ
2. ਉੱਤਮ ਗਰਮੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਇਕਸਾਰਤਾ
3. ਵਧੀਆSiC ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਕੋਟੇਡਇੱਕ ਨਿਰਵਿਘਨ ਸਤ੍ਹਾ ਲਈ
4. ਰਸਾਇਣਕ ਸਫਾਈ ਦੇ ਵਿਰੁੱਧ ਉੱਚ ਟਿਕਾਊਤਾ
ਦੇ ਮੁੱਖ ਨਿਰਧਾਰਨCVD-SIC ਕੋਟਿੰਗ
| SiC-CVD ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ | ||
| ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ | FCC β ਪੜਾਅ | |
| ਘਣਤਾ | ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ. ³ | 3.21 |
| ਕਠੋਰਤਾ | ਵਿਕਰਸ ਕਠੋਰਤਾ | 2500 |
| ਅਨਾਜ ਦਾ ਆਕਾਰ | ਮਾਈਕ੍ਰੋਮ | 2~10 |
| ਰਸਾਇਣਕ ਸ਼ੁੱਧਤਾ | % | 99.99995 |
| ਗਰਮੀ ਸਮਰੱਥਾ | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| ਸ੍ਰੇਸ਼ਟਤਾ ਤਾਪਮਾਨ | ℃ | 2700 |
| ਫੈਲੇਕਸੁਰਲ ਤਾਕਤ | MPa (RT 4-ਪੁਆਇੰਟ) | 415 |
| ਯੰਗ ਦਾ ਮਾਡਿਊਲਸ | ਜੀਪੀਏ (4 ਪੁਆਇੰਟ ਮੋੜ, 1300 ℃) | 430 |
| ਥਰਮਲ ਐਕਸਪੈਂਸ਼ਨ (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ | (ਪੱਛਮ/ਮੀਟਰ ਕਿਲੋਗ੍ਰਾਮ) | 300 |
