ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ (TaC)ਉੱਚ ਪਿਘਲਣ ਵਾਲੇ ਬਿੰਦੂ, ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ, ਚੰਗੀ ਰਸਾਇਣਕ ਸਥਿਰਤਾ, ਮਜ਼ਬੂਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ, ਆਦਿ ਦੇ ਫਾਇਦਿਆਂ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਉੱਚ-ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਰੋਧਕ ਵਸਰਾਵਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ,ਟੀਏਸੀ ਕੋਟਿੰਗਨੂੰ ਐਬਲੇਸ਼ਨ-ਰੋਧਕ ਕੋਟਿੰਗ, ਆਕਸੀਕਰਨ-ਰੋਧਕ ਕੋਟਿੰਗ, ਅਤੇ ਪਹਿਨਣ-ਰੋਧਕ ਕੋਟਿੰਗ ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਏਰੋਸਪੇਸ ਥਰਮਲ ਸੁਰੱਖਿਆ, ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ, ਊਰਜਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਅਤੇ ਹੋਰ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ:
ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ (TaC)ਉੱਚ ਪਿਘਲਣ ਵਾਲੇ ਬਿੰਦੂ, ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ, ਚੰਗੀ ਰਸਾਇਣਕ ਸਥਿਰਤਾ, ਮਜ਼ਬੂਤ ਬਿਜਲੀ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਦੇ ਫਾਇਦਿਆਂ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਅਤਿ-ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਰੋਧਕ ਵਸਰਾਵਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ. ਇਸ ਲਈ,ਟੀਏਸੀ ਕੋਟਿੰਗਨੂੰ ਐਬਲੇਸ਼ਨ-ਰੋਧਕ ਕੋਟਿੰਗ, ਆਕਸੀਕਰਨ-ਰੋਧਕ ਕੋਟਿੰਗ, ਅਤੇ ਪਹਿਨਣ-ਰੋਧਕ ਕੋਟਿੰਗ ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਏਰੋਸਪੇਸ ਥਰਮਲ ਸੁਰੱਖਿਆ, ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ, ਊਰਜਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਅਤੇ ਹੋਰ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਕੋਟਿੰਗਾਂ ਦੀ ਅੰਦਰੂਨੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ:
ਅਸੀਂ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਸਲਰੀ-ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਵਿਧੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਾਂਟੀਏਸੀ ਕੋਟਿੰਗਸਵੱਖ-ਵੱਖ ਆਕਾਰਾਂ ਦੇ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ 'ਤੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਮੋਟਾਈ ਦੇ। ਪਹਿਲਾਂ, Ta ਸਰੋਤ ਅਤੇ C ਸਰੋਤ ਵਾਲੇ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਪਾਊਡਰ ਨੂੰ ਇਕਸਾਰ ਅਤੇ ਸਥਿਰ ਪੂਰਵ-ਸੂਚੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਡਿਸਪਰਸੈਂਟ ਅਤੇ ਬਾਈਂਡਰ ਨਾਲ ਸੰਰਚਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਉਸੇ ਸਮੇਂ, ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਭਾਗਾਂ ਦੇ ਆਕਾਰ ਅਤੇ ਮੋਟਾਈ ਦੀਆਂ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰਟੀਏਸੀ ਕੋਟਿੰਗ, ਪ੍ਰੀ-ਕੋਟਿੰਗ ਛਿੜਕਾਅ, ਡੋਲ੍ਹਣ, ਘੁਸਪੈਠ ਅਤੇ ਹੋਰ ਰੂਪਾਂ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਅੰਤ ਵਿੱਚ, ਇਸ ਨੂੰ ਇੱਕ ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਤਾਵਰਨ ਵਿੱਚ 2200℃ ਤੋਂ ਉੱਪਰ ਤੱਕ ਗਰਮ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਇੱਕ ਸਮਾਨ, ਸੰਘਣੀ, ਸਿੰਗਲ-ਫੇਜ਼, ਅਤੇ ਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਕ੍ਰਿਸਟਾਲਿਨ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕੇ।ਟੀਏਸੀ ਕੋਟਿੰਗ.
ਕੋਟਿੰਗਾਂ ਦੀ ਅੰਦਰੂਨੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ:
ਦੀ ਮੋਟਾਈਟੀਏਸੀ ਕੋਟਿੰਗਲਗਭਗ 10-50 μm ਹੈ, ਅਨਾਜ ਇੱਕ ਮੁਫਤ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਹ ਇੱਕ ਸਿੰਗਲ-ਪੜਾਅ ਦੇ ਚਿਹਰੇ-ਕੇਂਦ੍ਰਿਤ ਘਣ ਢਾਂਚੇ ਦੇ ਨਾਲ, ਹੋਰ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ TaC ਨਾਲ ਬਣਿਆ ਹੈ; ਪਰਤ ਸੰਘਣੀ ਹੈ, ਬਣਤਰ ਸੰਪੂਰਨ ਹੈ, ਅਤੇ ਕ੍ਰਿਸਟਾਲਿਨਿਟੀ ਉੱਚੀ ਹੈ।ਟੀਏਸੀ ਕੋਟਿੰਗਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਪੋਰਸ ਨੂੰ ਭਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਹ ਰਸਾਇਣਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉੱਚ ਬੰਧਨ ਸ਼ਕਤੀ ਦੇ ਨਾਲ ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਕੋਟਿੰਗ ਵਿੱਚ Ta ਅਤੇ C ਦਾ ਅਨੁਪਾਤ 1:1 ਦੇ ਨੇੜੇ ਹੈ। GDMS ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਖੋਜ ਸੰਦਰਭ ਮਿਆਰੀ ASTM F1593, ਅਸ਼ੁੱਧਤਾ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ 121ppm ਤੋਂ ਘੱਟ ਹੈ। ਕੋਟਿੰਗ ਪ੍ਰੋਫਾਈਲ ਦਾ ਅੰਕਗਣਿਤ ਮੱਧ ਵਿਵਹਾਰ (Ra) 662nm ਹੈ।
ਆਮ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ:
GaN ਅਤੇSiC epitaxialਸੀਵੀਡੀ ਰਿਐਕਟਰ ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਵੇਫਰ ਕੈਰੀਅਰ, ਸੈਟੇਲਾਈਟ ਡਿਸ਼, ਸ਼ਾਵਰਹੈੱਡ, ਟਾਪ ਕਵਰ ਅਤੇ ਸਸੈਪਟਰ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।
SiC, GaN ਅਤੇ AlN ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਾਧੇ ਦੇ ਹਿੱਸੇ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਕਰੂਸੀਬਲ, ਸੀਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਹੋਲਡਰ, ਫਲੋ ਗਾਈਡ ਅਤੇ ਫਿਲਟਰ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।
ਉਦਯੋਗਿਕ ਹਿੱਸੇ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਰੋਧਕ ਹੀਟਿੰਗ ਤੱਤ, ਨੋਜ਼ਲ, ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਰਿੰਗ ਅਤੇ ਬ੍ਰੇਜ਼ਿੰਗ ਫਿਕਸਚਰ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।
ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ:
2600 ℃ 'ਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਸਥਿਰਤਾ
H ਦੇ ਕਠੋਰ ਰਸਾਇਣਕ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਸਥਿਰ-ਰਾਜ ਸੁਰੱਖਿਆ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ2, ਐਨ.ਐਚ3, SiH4ਅਤੇ ਸੀ ਭਾਫ਼
ਛੋਟੇ ਉਤਪਾਦਨ ਚੱਕਰ ਦੇ ਨਾਲ ਵੱਡੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਉਚਿਤ.
