ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਹੇਠਲੇ ਬੈਫਲਜ਼ ਲਈ ਦੂਜੇ ਅੱਧੇ ਹਿੱਸੇ

SiC ਕੋਟੇਡਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਹਾਫਮੂਨ ਭਾਗਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਣ ਵਾਲਾ ਇੱਕ ਮੁੱਖ ਹਿੱਸਾ ਹੈ, ਖਾਸ ਕਰਕੇ SiC ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਉਪਕਰਣਾਂ ਲਈ। ਅਸੀਂ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ, ਚੰਗੀ ਕੋਟਿੰਗ ਇਕਸਾਰਤਾ ਅਤੇ ਇੱਕ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਉੱਚ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਅੱਧੇ ਚੰਦਰਮਾ ਦੇ ਹਿੱਸੇ ਨੂੰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਆਪਣੀ ਪੇਟੈਂਟ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਾਂ।