CVD ਬਲਕ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (SiC)
ਸੰਖੇਪ ਜਾਣਕਾਰੀ:ਸੀਵੀਡੀਬਲਕ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (SiC)ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਐਚਿੰਗ ਸਾਜ਼ੋ-ਸਾਮਾਨ, ਰੈਪਿਡ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ (RTP) ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ, ਅਤੇ ਹੋਰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਮੰਗੀ ਜਾਣ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ। ਇਸ ਦੀਆਂ ਬੇਮਿਸਾਲ ਮਕੈਨੀਕਲ, ਰਸਾਇਣਕ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਇਸ ਨੂੰ ਉੱਨਤ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਸਮੱਗਰੀ ਬਣਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ ਜੋ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਅਤੇ ਟਿਕਾਊਤਾ ਦੀ ਮੰਗ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ।
CVD ਬਲਕ SiC ਦੀਆਂ ਅਰਜ਼ੀਆਂ:ਬਲਕ SiC ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੈ, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਐਚਿੰਗ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਵਿੱਚ, ਜਿੱਥੇ ਫੋਕਸ ਰਿੰਗਸ, ਗੈਸ ਸ਼ਾਵਰਹੈੱਡਸ, ਐਜ ਰਿੰਗਸ, ਅਤੇ ਪਲੇਟੈਂਸ ਵਰਗੇ ਹਿੱਸੇ SiC ਦੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਤੋਂ ਲਾਭ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਇਸ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਤੱਕ ਫੈਲੀ ਹੋਈ ਹੈਆਰ.ਟੀ.ਪੀਬਿਨਾਂ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਗਿਰਾਵਟ ਦੇ ਤੇਜ਼ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਉਤਰਾਅ-ਚੜ੍ਹਾਅ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰਨ ਲਈ SiC ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਦੇ ਕਾਰਨ ਸਿਸਟਮ।
ਐਚਿੰਗ ਉਪਕਰਣ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਸੀ.ਵੀ.ਡੀਬਲਕ SiCਫੈਲਣ ਵਾਲੀਆਂ ਭੱਠੀਆਂ ਅਤੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚ ਪੱਖਪਾਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿੱਥੇ ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ ਅਤੇ ਕਠੋਰ ਰਸਾਇਣਕ ਵਾਤਾਵਰਣ ਪ੍ਰਤੀ ਵਿਰੋਧ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਇਹ ਗੁਣ SiC ਨੂੰ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨਾਂ ਅਤੇ ਖੋਰਦਾਰ ਗੈਸਾਂ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਕਲੋਰੀਨ ਅਤੇ ਫਲੋਰੀਨ ਵਾਲੀਆਂ ਉੱਚ-ਮੰਗ ਵਾਲੀਆਂ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਚੋਣ ਦੀ ਸਮੱਗਰੀ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ।
CVD ਬਲਕ SiC ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ ਦੇ ਫਾਇਦੇ:
•ਉੱਚ ਘਣਤਾ:3.2 g/cm³ ਦੀ ਘਣਤਾ ਦੇ ਨਾਲ,CVD ਬਲਕ SiCਕੰਪੋਨੈਂਟ ਪਹਿਨਣ ਅਤੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ ਲਈ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਰੋਧਕ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।
•ਸੁਪੀਰੀਅਰ ਥਰਮਲ ਕੰਡਕਟੀਵਿਟੀ:300 W/m·K ਦੀ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, ਬਲਕ SiC ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਨਾਲ ਗਰਮੀ ਦਾ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਨੂੰ ਅਤਿ ਥਰਮਲ ਚੱਕਰਾਂ ਦੇ ਸੰਪਰਕ ਵਿੱਚ ਆਉਣ ਵਾਲੇ ਹਿੱਸਿਆਂ ਲਈ ਆਦਰਸ਼ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।
•ਬੇਮਿਸਾਲ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ:ਕਲੋਰੀਨ ਅਤੇ ਫਲੋਰੀਨ-ਆਧਾਰਿਤ ਰਸਾਇਣਾਂ ਸਮੇਤ ਐਚਿੰਗ ਗੈਸਾਂ ਦੇ ਨਾਲ SiC ਦੀ ਘੱਟ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲਤਾ, ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਤੱਕ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਲਾਈਫ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।
•ਵਿਵਸਥਿਤ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ: CVD ਬਲਕ SiC'sਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ ਨੂੰ 10⁻²–10⁴ Ω-ਸੈ.ਮੀ. ਦੀ ਰੇਂਜ ਦੇ ਅੰਦਰ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਨੂੰ ਖਾਸ ਐਚਿੰਗ ਅਤੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਿਰਮਾਣ ਲੋੜਾਂ ਦੇ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।
•ਥਰਮਲ ਵਿਸਤਾਰ ਗੁਣਾਂਕ:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C) ਦੇ ਥਰਮਲ ਵਿਸਤਾਰ ਗੁਣਾਂਕ ਦੇ ਨਾਲ, CVD ਬਲਕ SiC ਥਰਮਲ ਸਦਮੇ ਦਾ ਵਿਰੋਧ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਤੇਜ਼ ਹੀਟਿੰਗ ਅਤੇ ਕੂਲਿੰਗ ਚੱਕਰਾਂ ਦੇ ਦੌਰਾਨ ਵੀ ਅਯਾਮੀ ਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਕਾਇਮ ਰੱਖਦਾ ਹੈ।
•ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਵਿੱਚ ਟਿਕਾਊਤਾ:ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਅਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਗੈਸਾਂ ਦਾ ਐਕਸਪੋਜਰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚ ਅਟੱਲ ਹੈ, ਪਰCVD ਬਲਕ SiCਖੋਰ ਅਤੇ ਗਿਰਾਵਟ ਲਈ ਵਧੀਆ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਬਦਲਣ ਦੀ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਅਤੇ ਸਮੁੱਚੇ ਰੱਖ-ਰਖਾਅ ਦੇ ਖਰਚਿਆਂ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ।
ਤਕਨੀਕੀ ਨਿਰਧਾਰਨ:
•ਵਿਆਸ:305 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਤੋਂ ਵੱਧ
•ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ:10⁻²–10⁴ Ω-ਸੈ.ਮੀ. ਦੇ ਅੰਦਰ ਅਡਜਸਟੇਬਲ
•ਘਣਤਾ:3.2 g/cm³
•ਥਰਮਲ ਕੰਡਕਟੀਵਿਟੀ:300 W/m·K
•ਥਰਮਲ ਵਿਸਤਾਰ ਗੁਣਾਂਕ:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਅਤੇ ਲਚਕਤਾ:'ਤੇਸੈਮੀਸੇਰਾ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ, ਅਸੀਂ ਸਮਝਦੇ ਹਾਂ ਕਿ ਹਰੇਕ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਲਈ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੀ ਲੋੜ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ ਸਾਡੇ CVD ਬਲਕ SiC ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਹਨ, ਤੁਹਾਡੀਆਂ ਸਾਜ਼ੋ-ਸਾਮਾਨ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਮੁਤਾਬਕ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ ਅਤੇ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਮਾਪਾਂ ਦੇ ਨਾਲ। ਭਾਵੇਂ ਤੁਸੀਂ ਆਪਣੇ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਐਚਿੰਗ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕਰ ਰਹੇ ਹੋ ਜਾਂ RTP ਜਾਂ ਪ੍ਰਸਾਰ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚ ਟਿਕਾਊ ਹਿੱਸੇ ਲੱਭ ਰਹੇ ਹੋ, ਸਾਡਾ CVD ਬਲਕ SiC ਬੇਮਿਸਾਲ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।
