ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕੋਟਿੰਗ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਦਾ ਤਰੀਕਾ

ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਦੀ ਤਿਆਰੀ ਦੇ ਢੰਗSiC ਪਰਤਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਜੈੱਲ-ਸੋਲ ਵਿਧੀ, ਏਮਬੈਡਿੰਗ ਵਿਧੀ, ਬੁਰਸ਼ ਕੋਟਿੰਗ ਵਿਧੀ, ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਛਿੜਕਾਅ ਵਿਧੀ, ਰਸਾਇਣਕ ਗੈਸ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਵਿਧੀ (ਸੀਵੀਆਰ) ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ ਵਿਧੀ (ਸੀਵੀਡੀ) ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।

ਏਮਬੈਡਿੰਗ ਵਿਧੀ:

ਵਿਧੀ ਇੱਕ ਕਿਸਮ ਦੀ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਠੋਸ ਪੜਾਅ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਹੈ, ਜੋ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਏਮਬੈਡਿੰਗ ਪਾਊਡਰ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਸੀ ਪਾਊਡਰ ਅਤੇ ਸੀ ਪਾਊਡਰ ਦੇ ਮਿਸ਼ਰਣ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ ਨੂੰ ਏਮਬੈਡਿੰਗ ਪਾਊਡਰ ਵਿੱਚ ਰੱਖਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਸਿਨਟਰਿੰਗ ਨੂੰ ਅੜਿੱਕਾ ਗੈਸ ਵਿੱਚ ਬਾਹਰ ਕੱਢਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। , ਅਤੇ ਅੰਤ ਵਿੱਚSiC ਪਰਤਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸਧਾਰਨ ਹੈ ਅਤੇ ਕੋਟਿੰਗ ਅਤੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵਿਚਕਾਰ ਸੁਮੇਲ ਵਧੀਆ ਹੈ, ਪਰ ਮੋਟਾਈ ਦੀ ਦਿਸ਼ਾ ਦੇ ਨਾਲ ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਇਕਸਾਰਤਾ ਮਾੜੀ ਹੈ, ਜੋ ਵਧੇਰੇ ਛੇਕ ਪੈਦਾ ਕਰਨਾ ਆਸਾਨ ਹੈ ਅਤੇ ਗਰੀਬ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵੱਲ ਲੈ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

 

ਬੁਰਸ਼ ਕੋਟਿੰਗ ਵਿਧੀ:

ਬੁਰਸ਼ ਕੋਟਿੰਗ ਵਿਧੀ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ ਦੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਤਰਲ ਕੱਚੇ ਮਾਲ ਨੂੰ ਬੁਰਸ਼ ਕਰਨ ਲਈ ਹੈ, ਅਤੇ ਫਿਰ ਕੋਟਿੰਗ ਨੂੰ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਖਾਸ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਕੱਚੇ ਮਾਲ ਨੂੰ ਠੀਕ ਕਰਨਾ ਹੈ। ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸਧਾਰਨ ਹੈ ਅਤੇ ਲਾਗਤ ਘੱਟ ਹੈ, ਪਰ ਬੁਰਸ਼ ਕੋਟਿੰਗ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਕੋਟਿੰਗ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੇ ਨਾਲ ਜੋੜਨ ਵਿੱਚ ਕਮਜ਼ੋਰ ਹੈ, ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਇਕਸਾਰਤਾ ਮਾੜੀ ਹੈ, ਪਰਤ ਪਤਲੀ ਹੈ ਅਤੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਘੱਟ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਹਾਇਤਾ ਲਈ ਹੋਰ ਤਰੀਕਿਆਂ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ। ਇਹ.

 

ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਛਿੜਕਾਅ ਵਿਧੀ:

ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਛਿੜਕਾਅ ਦਾ ਤਰੀਕਾ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਗਨ ਨਾਲ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਪਿਘਲੇ ਹੋਏ ਜਾਂ ਅਰਧ-ਪਿਘਲੇ ਹੋਏ ਕੱਚੇ ਮਾਲ ਨੂੰ ਸਪਰੇਅ ਕਰਨਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਫਿਰ ਇੱਕ ਕੋਟਿੰਗ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਠੋਸ ਅਤੇ ਬਾਂਡ ਕਰਨਾ ਹੈ। ਵਿਧੀ ਨੂੰ ਚਲਾਉਣ ਲਈ ਸਧਾਰਨ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਸੰਘਣੀ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਪਰਤ ਤਿਆਰ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਪਰ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਪਰਤ ਅਕਸਰ ਬਹੁਤ ਕਮਜ਼ੋਰ ਹੁੰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਕਮਜ਼ੋਰ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵੱਲ ਲੈ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਇਸਨੂੰ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸੁਧਾਰ ਕਰਨ ਲਈ SiC ਕੰਪੋਜ਼ਿਟ ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਤਿਆਰੀ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਪਰਤ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ.

 

ਜੈੱਲ-ਸੋਲ ਵਿਧੀ:

ਜੈੱਲ-ਸੋਲ ਵਿਧੀ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ ਦੀ ਸਤਹ ਨੂੰ ਢੱਕਣ ਵਾਲੇ ਇੱਕ ਸਮਾਨ ਅਤੇ ਪਾਰਦਰਸ਼ੀ ਸੋਲ ਘੋਲ ਨੂੰ ਤਿਆਰ ਕਰਨਾ ਹੈ, ਇੱਕ ਜੈੱਲ ਵਿੱਚ ਸੁਕਾਉਣਾ ਅਤੇ ਫਿਰ ਕੋਟਿੰਗ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਕਰਨਾ ਹੈ। ਇਹ ਵਿਧੀ ਚਲਾਉਣ ਲਈ ਸਧਾਰਨ ਹੈ ਅਤੇ ਲਾਗਤ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਹੈ, ਪਰ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਕੋਟਿੰਗ ਵਿੱਚ ਕੁਝ ਕਮੀਆਂ ਹਨ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਘੱਟ ਥਰਮਲ ਸਦਮਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਆਸਾਨ ਕਰੈਕਿੰਗ, ਇਸਲਈ ਇਸਨੂੰ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਨਹੀਂ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

 

ਕੈਮੀਕਲ ਗੈਸ ਰਿਐਕਸ਼ਨ (CVR):

CVR ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਤਿਆਰ ਕਰਦਾ ਹੈSiC ਪਰਤਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ SiO ਭਾਫ਼ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਲਈ Si ਅਤੇ SiO2 ਪਾਊਡਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ, ਅਤੇ C ਸਮੱਗਰੀ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆਵਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਲੜੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਦSiC ਪਰਤਇਸ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸਬਸਟਰੇਟ ਨਾਲ ਨੇੜਿਓਂ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਪਰ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ ਵੱਧ ਹੈ ਅਤੇ ਲਾਗਤ ਵੱਧ ਹੈ।

 

ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ (CVD):

ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਸੀਵੀਡੀ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਮੁੱਖ ਤਕਨੀਕ ਹੈSiC ਪਰਤਘਟਾਓਣਾ ਸਤਹ 'ਤੇ. ਮੁੱਖ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਤਹ 'ਤੇ ਗੈਸ ਫੇਜ਼ ਰੀਐਕਟੈਂਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀਆਂ ਭੌਤਿਕ ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆਵਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਲੜੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਅੰਤ ਵਿੱਚ ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਤਹ 'ਤੇ ਜਮ੍ਹਾ ਕਰਕੇ SiC ਕੋਟਿੰਗ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਸੀਵੀਡੀ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਐਸਆਈਸੀ ਕੋਟਿੰਗ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੀ ਸਤਹ ਨਾਲ ਨੇੜਿਓਂ ਜੁੜੀ ਹੋਈ ਹੈ, ਜੋ ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਅਬਲੇਟਿਵ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਸੁਧਾਰ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਪਰ ਇਸ ਵਿਧੀ ਦਾ ਜਮ੍ਹਾ ਕਰਨ ਦਾ ਸਮਾਂ ਲੰਬਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਗੈਸ ਇੱਕ ਖਾਸ ਜ਼ਹਿਰੀਲੀ ਹੈ। ਗੈਸ