ਸੇਮੀਸੇਰਾ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਹਿੱਸਿਆਂ ਅਤੇ ਕੈਰੀਅਰਾਂ ਲਈ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ (TaC) ਕੋਟਿੰਗ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਸੇਮੀਸੇਰਾ ਦੀ ਮੋਹਰੀ ਕੋਟਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ (TaC) ਕੋਟਿੰਗਾਂ ਨੂੰ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਸਥਿਰਤਾ ਅਤੇ ਉੱਚ ਰਸਾਇਣਕ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਦੇ ਯੋਗ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ, SIC/GAN ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ EPI ਲੇਅਰਾਂ ਦੀ ਉਤਪਾਦ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਦੀ ਹੈ (ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਕੋਟੇਡ TaC ਸੰਸਪੈਕਟਰ), ਅਤੇ ਮੁੱਖ ਰਿਐਕਟਰ ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ ਦੇ ਜੀਵਨ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣਾ। ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ ਟੀਏਸੀ ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਿਨਾਰੇ ਦੀ ਸਮੱਸਿਆ ਨੂੰ ਹੱਲ ਕਰਨ ਅਤੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਨ ਲਈ ਹੈ, ਅਤੇ ਸੈਮੀਸੇਰਾ ਸੇਮੀਸੇਰਾ ਨੇ ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕੋਟਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ (ਸੀਵੀਡੀ) ਨੂੰ ਅੰਤਰਰਾਸ਼ਟਰੀ ਉੱਨਤ ਪੱਧਰ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਾਉਂਦੇ ਹੋਏ ਸਫਲਤਾਪੂਰਵਕ ਹੱਲ ਕੀਤਾ ਹੈ।
ਸਾਲਾਂ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਦੇ ਬਾਅਦ, ਸੇਮੀਸੇਰਾ ਨੇ ਦੀ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਨੂੰ ਜਿੱਤ ਲਿਆ ਹੈCVD TaCਖੋਜ ਅਤੇ ਵਿਕਾਸ ਵਿਭਾਗ ਦੇ ਸਾਂਝੇ ਯਤਨਾਂ ਨਾਲ. SiC ਵੇਫਰਾਂ ਦੀ ਵਿਕਾਸ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਨੁਕਸ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਪੈਦਾ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਪਰ ਵਰਤਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦਟੀ.ਏ.ਸੀ, ਅੰਤਰ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੈ। ਹੇਠਾਂ ਟੀਏਸੀ ਦੇ ਨਾਲ ਅਤੇ ਬਿਨਾਂ ਵੇਫਰਾਂ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ, ਨਾਲ ਹੀ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਾਧੇ ਲਈ ਸਿਮੀਸੇਰਾ ਦੇ ਹਿੱਸੇ
TaC ਦੇ ਨਾਲ ਅਤੇ ਬਿਨਾਂ
TaC (ਸੱਜੇ) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ
ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਸੇਮੀਸੇਰਾ ਦੇ ਟੀਏਸੀ ਕੋਟਿੰਗ ਉਤਪਾਦਾਂ ਦੀ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਲੰਬੀ ਹੈ ਅਤੇ SiC ਕੋਟਿੰਗ ਨਾਲੋਂ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀ ਵਧੇਰੇ ਰੋਧਕ ਹੈ। ਪ੍ਰਯੋਗਸ਼ਾਲਾ ਦੇ ਮਾਪ ਡੇਟਾ ਦੇ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਸਾਡਾ ਟੀਏਸੀ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ 2300 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ 'ਤੇ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਲਈ ਕੰਮ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਹੇਠਾਂ ਸਾਡੇ ਕੁਝ ਨਮੂਨੇ ਹਨ:
(a) PVT ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ SiC ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਇੰਗੌਟ ਵਧਣ ਵਾਲੇ ਯੰਤਰ ਦਾ ਯੋਜਨਾਬੱਧ ਚਿੱਤਰ (b) ਚੋਟੀ ਦੇ TaC ਕੋਟੇਡ ਬੀਜ ਬਰੈਕਟ (SIC ਬੀਜ ਸਮੇਤ) (c) TAC-ਕੋਟੇਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਗਾਈਡ ਰਿੰਗ
